El sulfonato de perfluorooctano (= PFOS, C
8F
17SO
3-) es un compuesto que, debido a sus importantes propiedades fisicoquímicas, es ampliamente usado a nivel industrial. Este compuesto es indispensable para la industria de los semiconductores ya que es parte fundamental del proceso de fotolitografía de superficies de silicio, sin el cual no sería posible la fabricación de chips y otros dispositivos microelectrónicos. Pese a la importancia industrial del PFOS, su uso se encuentra regulado por agencias ambientales pues es un peligroso contaminante orgánico persistente, capaz de bio-acumularse en personas y animales que habitan tanto en zonas remotas como en zonas de alta actividad industrial.
En una reciente publicación en la revista
Chemosphere, Valeria Ochoa-Herrera y F. Javier Torres, profesores de la Universidad San Francisco de Quito USFQ, estudiaron mediante cálculos cuanto-mecánicos las propiedades estructurales, electrónicas y termodinámicas del PFOS. Los resultados de este trabajo además de mejorar el conocimiento sobre el comportamiento de este compuesto, han dado una explicación desde el punto de vista molecular-electrónico de por qué solo ciertos isómeros del PFOS son susceptibles a degradación mediante dehalogenación reductiva. Como consecuencia de esto, este estudio ha sido catalogado por el sitio BioMedLib como uno de los diez más importantes artículos internacionales sobre PFOS y su mecanismo de degradación.
Valeria Ochoa-Herrera es profesora del departamento de Ingeniería Ambiental del Colegio de Ciencias Biológicas y Ambientales COCIBA-USFQ y F. Javier Torres es profesor del departamento de Química, del Colegio de Ciencias e Ingenierías El Politécnico USFQ.
Cita de la publicación: Torres FJ, Ochoa-Herrera V, Blowers P, Sierra-Alvarez R. (2009)
Ab initio study of the structural, electronic, and thermodynamic properties of linear perfluorooctane sulfonate (PFOS) and its branched isomers. Chemosphere 76(8):1143-9.
No hay comentarios.: